| 企业等级： | 普通会员 |
| 经营模式： | 生产加工 |
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发布时间：2022-02-19 05:13:00 作者：利成感光
曝光显影光刻胶的表现要素：
分辨率：resolution capability、纵横比-aspect ratio（光刻胶厚度与图形打开尺寸的比值、正胶一般比负胶有更高的纵横比）；
粘结能力：负胶的粘结能力通常比正胶强一些；
曝光速度、灵敏性和曝光源：反应速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度越快；灵敏性是与导致聚合或者光溶解发生所需要的能量总和相关的；波长越短的射线能量越高；
圆弧面曝光显影厂家
光刻工艺的主要步骤如下(1)对半导体晶片(Wafer)进行清洗，并使用增黏剂进行成膜处理；(2)在所述半导体晶片上通过旋涂的方法形成光刻胶层；(3)执行软烘烤(soft bake)工艺，去除所述光刻胶层中的溶剂，并增加所述光刻胶层在半导体晶片表面的粘附性；(4)将所述半导体晶片传送至曝光设备，通过一系列对准动作后，对所述半导体晶片表面的光刻胶层进行曝光，掩膜版上预定好的图案通过曝光可以转移到所述光刻胶层上；圆弧面曝光显影厂家
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