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发布时间：2022-05-08 11:59:00 作者：利成感光
曝光显影光刻十步法：
表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—终目检；
基本的光刻胶化学物理属性：
a、组成：聚合物+溶剂+感光剂+添加剂
普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光学光刻胶，还有其它光刻胶可以与X射线或者电子束反应；负胶+亮场或正胶+暗场形成空穴； 负胶+暗场或正胶+亮场形成凸起
光刻十步法：表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀对准和曝光（A&E）:
对准系统的性能表现：对准系统包含两个主要子系统、一个是要把图形在晶圆表面上准备定位，另一个是曝光子系统，包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向晶圆表面上的机械装置；对准与曝光系统：光学（接触式、接近式、投影式、步进式），非光学（X射线、电子束）； 保温杯曝光显影厂商
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